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MOSFET

MOSFET资讯

闻泰将安世高功率MOSFET产线引入国内

4月26日,闻泰科技发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书(草案)公告,详细披露高达58亿元的配套融资方案,其中安世中国先进封测平台及工艺升级项目和云硅智谷4...

分类:名企新闻 时间:2020/4/27 阅读:858 关键词:闻泰MOSFET

TOSHIBA东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。  。。。

分类:新品快报 时间:2020/4/23 阅读:1060 关键词:TOSHIBA电源那个彩票平台最好

TOREX低导通电阻,高速开关 扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02013R、XP232P05013R

那个彩票平台最好XP231P02013R(-30V耐压)和XP232P05013R(-30V耐压)是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。  封装组件均采用了小型SOT-323...

分类:新品快报 时间:2020/4/16 阅读:1082 关键词:电阻

Power Integrations宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级认证

深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司(纳斯达克股票代号:POWI 今日宣布,其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压。。。

分类:名企新闻 时间:2020/4/14 阅读:903 关键词:儒卓力 LED驱动器

东芝推出新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET

–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–  中国上海,2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TP...

分类:新品快报 时间:2020/3/31 阅读:1953 关键词:东芝MOSFET

TOREX - XP231N0201TR(30V耐压), 低导通电阻,高速开关 扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容

特瑞仕半导体株式会社开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压)。  此次发售的产品,是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电...

分类:名企新闻 时间:2020/3/17 阅读:1000 关键词:MOSFET

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中...

分类:新品快报 时间:2020/3/11 阅读:1343 关键词:东芝

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

那个彩票平台最好比利时·蒙-圣吉贝尔,2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(。。。

分类:新品快报 时间:2020/3/11 阅读:1115 关键词:CISSOID碳化硅

性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOSTM S7超结MOSFET

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言,新推出的600 V CoolMOS? S7系列产品可带来。。。

分类:新品快报 时间:2020/3/11 阅读:1087 关键词:英飞凌

Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。  SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RD...

分类:名企新闻 时间:2020/3/5 阅读:1029 关键词:儒卓力那个彩票平台最好

MOSFET技术

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)

那个彩票平台最好解决电源电路中电容器课题的新技术登场!  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新的电源技术“Nano Cap ”,使用该技术,可以使包括汽车和工业设备在内的各种电源电路在外置电容器容量为极小的nF级(纳米级: 1...

新品速递 时间:2020/4/23 阅读:104

破解MOSFET数据表(五)——开关参数

我们来到了这个试图破解功率 MOSFET 数据表的“看懂 MOSFET 数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中,我们将花时间看一看 MOSFET 数据表中出现的某些其它混合开关参数,。。。

设计应用 时间:2020/4/7 阅读:92

系统中的负载开关在哪里?何时取代分立MOSFET?

道用电之前,人们用蜡烛照明。这在过去是常用的能在黑暗中视物的照明方式,但灯泡的发明显然是更好的解决方案。  像蜡烛一样,功率 MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负。。。

设计应用 时间:2020/3/25 阅读:188

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内...

新品速递 时间:2020/3/12 阅读:2423那个彩票平台最好

TOSHIBA东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其...

新品速递 时间:2020/3/12 阅读:168

Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力上供应这款MOSFET器件。  SiSS12DN MOSFET在10V...

新品速递 时间:2020/3/10 阅读:4026

在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应

设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSF...

设计应用 时间:2020/1/13 阅读:214

ST - SiCMOSFET在汽车和电源应用中优势显著

传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。   商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IGBT一直是开关电源的...

基础电子 时间:2019/12/6 阅读:282

为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?为什么是 100 Ω?

为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗?   只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很...

设计应用 时间:2019/11/18 阅读:196

功率MOSFET的参数那么多,实际应用中该怎么选?

功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。   由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET ...

设计应用 时间:2019/11/1 阅读:306

MOSFET产品

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