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DRAM

DRAM资讯

三星一季度全球DRAM市场份额超过40% 但销售额有下滑

三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%,但销售额在这一季度有下滑。  外媒的数据显示,一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44。1%,是第一大厂商,较第二大厂商。。。

分类:名企新闻 时间:2020/5/21 阅读:447 关键词:三星DRAM市场

DRAM市场刚回暖,存储三雄已开战

DRAM第一季度价格回暖,“存储三雄”三星、美光、海力士围绕DRAM的新一轮竞争已经开始。三星将EUV导入DRAM,DDR5及LPDDR5等新产品的崛起,透露哪些迭代趋势?在寒意犹存的第...

分类:业界动态 时间:2020/4/22 阅读:891 关键词:DRAM市场存储

敲黑板!DRAM涨价,这些问题要注意!

2020年1-2月,DRAM价格止跌回暖,各研究及证券机构普遍看涨DRAM第一季度、第二季度价格。从2018年下半年起,DRAM经历了超过一年的下滑周期。现阶段,在市场持有涨价预期的...

分类:维库行情 时间:2020/3/16 阅读:3221 关键词:DRAM

美光交付全球首款量产应用于高端智能手机市场的低功耗DDR5 DRAM 芯片

今日宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。作为小米的内存技术合作伙伴,美光所供应的 LPDDR5 DRAM 芯片将带来更低的。。。

分类:新品快报 时间:2020/2/7 阅读:1781 关键词:智能手机

日本DRAM巨头原社长加入中国芯片公司,为人生“不留遗憾”

对于加入紫光的初衷,国内媒体在12月23日报道中指出,坂本幸雄在接受采访时表示,他“不想作为一个失败者结束人生。想自己作个了结”。  在中美两国“高科技冷战”激化的...

分类:业界动态 时间:2019/12/27 阅读:667 关键词:芯片DRAM

长鑫存储DRAM产能加快释放 产业链迎发展机遇

长鑫存储技术有限公司公布最新的DRAM技术路线图,将采用19nm工艺生产4Gb和8Gb DDR4,目标在2020年一季度实现商业化生产。目前长鑫月产能约为2万片,规划到2020年底晶圆月产。。。

分类:名企新闻 时间:2019/12/4 阅读:567 关键词:长鑫存储DRAM产能

DRAM明年市况乐观 南亚科华邦电看俏

DRAM价格经过长达一年的下跌后,已经带动个人电脑、服务器、智能手机的单机搭载容量大幅提升,与去年同期相较增加超过五成。美光执行长Sanjay Mehrotra已释出对明年第一季后DRAM市况趋于健康的乐观看法。法人则看好DRAM明年上半年合约价...

分类:业界动态 时间:2019/11/28 阅读:513 关键词: DRAM价格华邦电

从DRAM转向晶圆代工,这家厂商立志成为“小台积电”

力晶科技转型晶圆代工有成,内部估算去年获利逾100亿元,连续六年达到获利百亿元目标,写下记忆体厂转型晶圆代工的惊奇一页。  力晶集团执行长黄崇仁透露,集团计划明年...

分类:业界动态 时间:2019/11/28 阅读:741 关键词:DRAM台积电

国内 DRAM 处在空白页,几大生产商把控变成难点

假如说芯片是中国科技界的痛,那麼运行内存则也是痛中之痛。你会不敢相信,移动u盘是我国创造发明的,但长期以来,移动u盘都并不是我国彻底独立生产制造的,由于芯片颗粒物是進口的,我国仅仅造个外壳封裝一下下。  因此一直以来,运行...

分类:业界动态 时间:2019/9/26 阅读:755 关键词:中国芯半导体

合肥长鑫DRAM内存芯片建成投产 总项目投资约1500亿元

合肥长鑫在合肥市举办的2019全球加工业交流会上,公布总项目投资约1500亿元的储存内存芯片独立生产制造新项目建成投产。合肥长鑫当场展现了8Gb?DDR4集成ic,选用19纳米技术加工工艺生产制造,和国际性流行DRAM加工工艺基础维持同歩,1期...

分类:名企新闻 时间:2019/9/23 阅读:935 关键词:DRAM内存芯片

DRAM技术

基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计

任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用,但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下,波形的存储深度很难做得很。。。

设计应用 时间:2020/5/19 阅读:88

基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计

1、引言  随着信息时代的到来,各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增,大部分运动控制系统的核心器件MCU自身已经集成了较大...

设计应用 时间:2020/5/19 阅读:81那个彩票平台最好

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

那个彩票平台最好从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可。。。

设计应用 时间:2020/4/23 阅读:100

SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计

随着嵌入式微处理器主频的不断提高,信号的传输处理速度越来越快,当系统时钟频率达到100MHZ以上,传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计。。。

设计应用 时间:2019/4/15 阅读:634

高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 ...

新品速递 时间:2019/1/19 阅读:473

利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计

0C186XL16位嵌入式微处理器[1]是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAMRCU单。。。

设计应用 时间:2019/1/8 阅读:782

高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGA

今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。   随着边缘计算的兴起,相应芯片的市场需求亦随之扩大,在应用层...

新品速递 时间:2018/9/17 阅读:293

ARM开发步步深入之SDRAM编程示例

实验目的:改变“点灯大法”的执行地点,从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行,借此掌握存储控制器的使用。   实 验环境及说明:恒颐S3C2410开发板H2410。H2410...

设计应用 时间:2018/8/30 阅读:304

微控制单元器MCU、ARM及SDRAM简介

它是美国爱荷华州立大学的约翰·文森特·阿塔纳索夫(John Vincent Atanasoff)教授和他的研究生克利福特·贝瑞(Clifford Berry)在1937年设计的。   遗憾的是当时仅仅用于求解线性方程组,也没有申请专利,爱荷华州立大学也没有对其。。。

基础电子 时间:2018/8/3 阅读:381

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?

那个彩票平台最好为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?  网上说,错两位是为了32位对齐(地址为8位数据地址,2440位宽为32,错两位,一次跳4byte)。  下面是听南方大哥的教程时记录的:  由于两个内存合起来“数据位宽”是32位。32时,地址总线的。。。

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:310那个彩票平台最好

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