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N沟道场效应管 EMB14N10F TO-220F 塑封MOS

N沟道场效应管 EMB14N10F TO-220F 塑封MOS
N沟道场效应管 EMB14N10F TO-220F 塑封MOS
  • 型号/规格:

    EMB14N10F

  • 品牌/商标:

    杰力

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司那个彩票平台最好

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商品信息


N沟道场效应管 EMB14N10F TO-220F 塑封MOS


塑封MOS EMB14N10F的结构图:



塑封MOS EMB14N10F的产品参数:

  • 漏极-源极电压:100V
  • 栅极-源极电压:±20V
  • 漏极电流-连续:40A
  • 漏极电流-脉冲:140A
  • 雪崩电流:40A
  • 雪崩能量:80mJ
  • 重复雪崩能量:40mJ
  • 功耗:40W
  • 温度范围:-55~150℃
  • 结到管壳的热阻:3.1℃/W
  • 结到环境的热阻:62.5℃/W



塑封MOS EMB14N10F的电气特性:

  • 漏极-源极击穿电压:100V
  • 栅极开启电压:2.0V(典型值
  • 栅极漏电流:±100nA
  • 值静态漏源导通电阻:14。6mΩ
  • 输入电容:4505pF
  • 输出电容:195pF
  • 反向传输电容:44pF
  • 栅源电荷密度:15nC
  • 栅漏电荷密度:11nC
  • 开启延迟时间:20nS
  • 上升时间:25nS
  • 关断延迟时间:80nS
  • 下降时间:30nS



塑封MOS EMB14N10F的封装外形尺寸:


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

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